DWD 반도체 이야기

6.8.1  속도 포화 > MOSFET IV Curve의 약점은 Vds 가 Vdsat 보다 더 커지게 되면 Qinv=0이 되는 Pinch Off 영역에 의해 유한한 전류가 흐른다.   > 전계가 작을 때 캐리어의 드리프트 속도는 μΕ 이다.   > 전계에 비례하고 캐리어의 운동 에너지가 증가한다.  > 하지만 동시에 광학 포논 에너지(Optical Phonon energy) 보다 커지면 속도가 줄어든다.   > 광학 포논은 높은 주파수를 가지는 진동으로 포논의 한 종류이며, Lattice Scattering으로 이해해도 무방할 것 같다.   > Pinch Off 영역엔 Channel이 없다고 봐도 무방하며 Channel에 비해 길이가 짧기 때문에 Field가 매우 크게 걸린다.   > Field가 큰 만..

2.2.1 Mobility > 열 에너지에 의한 캐리어는 충돌과 산란으로 인해 평균 속도는 0이다. (전류가 흐르지 않는다) > 전기장이 반도체에 가해지면 평균 속도가 0이 아니다. (전류가 흐른다) > 전기장에 의해서 캐리어가 움직이는 속도를 드리프트 속도(Drift Velocity)라고 한다. > 드리프트 속도를 구하는 방법은 전기장에 의해 발생하는 운동량 (qE * t)과 전체 드리프트 운동량 (mv) 관계식을 통해 구할 수 있다. > t는 캐리어가 충돌하느 평균 자유 시간이고 m 은 캐리어의 mass 이다. > μ는 캐리어의 모빌리티(Mobility)를 뜻하며 이동도를 의미한다. > 모빌리티가 높을수록 캐리어의 속도는 빠르다. > 전자의 모빌리티는 (-) 음의 부호를 붙인다. 이유는 전기장 반대로..