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4.21 옴성 접촉 > 반도체 소자에서 금속을 통해서 연결되는데 반도체와 금속 접촉은 충분히 낮은 저항을 가져야 한다. > 이 낮은 저항을 가지기 위해선 옴성 접촉을 가져야 한다. > 옴성 접촉의 금속과 접촉된 고농도로 도핑된 반도체의 표면층은 TiSi2, NiSi2와 같은 실리사이드로 변환되어야 한다. > 그 위에 TiN 층을 만들어줘서 금속(W)과 실리사이드와 반응을 방지해야 한다. > 모든 우수한 옴성 접촉의 특징은 반도체가 매우 높게 도핑되어 있다. > 고농도로 도핑된 Si 공핍층 두께는 높은 도펀트로 인해 수십 Å로 매우 얇다. > 전위 장벽이 매우 얇으면 전자들은 큰 터널링 확률을 갖게 되어 장벽을 잘 통과할 수 있다. > 바이어스가 가해지지 않았을 때 전류는 0이고 전자의 절반은 접합 쪽을 ..