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6.9.1 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델 > 이전 장에서 살펴본 Ids에 관한 속도 포화식은 다음과 같다. > 관계식을 이용하여 Ids를 표현하면 장채널 IV 모델을 얻을 수 있다. > 해당 식은 ids를 1+Vds/Esat*L 만큼 줄이는 것이다. > Vds가 작거나 L이 매우 크면 식의 비율은 1에 근사한다 즉, 속도 포화를 무시할 수 있다. > Vdsat 경계 조건에 따라서 캐리어의 속도식을 구할 수 있고 이를 같은 시점에서 Esat의 관계식을 구할 수 있다. > 해당 식으로 Drain 끝에서 속도 포화가 시작되는 때의 Ids를 표현하면 다음과 같다. > 그 전에 표현한 Ids 값과 같다고 두면 다음과 같이 정리 가능하다. > 다시 첫 번째로..