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7.4.0 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설 전류 > MOSFET의 산화물질은 SiO2로 많이 사용된다. > Node가 작아질수록 SiO2 두께도 300nm 에서 1.2nm 수준까지 감소되어 왔다. > Gate 산화막을 줄이게 된데는 크게 두 가지가 있다. > 하나는 Cox를 증가시켜 더 큰 Ion을 얻기 위함이다. > 다른 하나는 MOSFET 길이 L이 감소하며 Vt Roll Off를 제어하기 위함이다. > Gate 산화막이 얇을수록 바람직하다 하지만 무한정 줄일 수 없다. > 얇은 산화막을 제조하는것도 쉽지 않고 산화막이 얇을수록 Breakdown Voltage가 작아진다. > 하지만 가장 큰 이유는 터널링 누설전류이다. > 전자는 열적 속도로 게이트 근처..