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4.4.1 커패시턴스-전압 특성 > 커패시턴스는 두 평행한 전도체 판이 겹치는 면적 A와 평행판 사이의 유전율 ε에 비례하고 평행판 사이 거리 d에 반비례 한다. (C = εA/d) > PN 접합의 공핍층은 전기적으로 중성이기 때문에 유전층 역할을 하고 P와 N 반도체는 평행한 전도체 판을 갖는 커패시터로 모델링할 수 있다. > Wdep는 공핍층의 Width 이고 A는 PN 접합의 면적이다. > 커패시턴스 Cdep는 소자와 회로에 필요하지 않은 용량성 부하가 될 수 있다. (ex. RC Delay) d > Cdep는 접합의 면적을 줄이거나 Wdep를 증가시켜 낮출 수 있다. > Wdep는 PN 접합에 역 전압 Vr을 가해주거나 도핑 농도를 줄이면 증가시킬 수 있다. > 도핑 농도 낮은 곳의 Wdep는 크..