DWD 반도체 이야기

6.12.0 속도 오버슛과 소오스 속도 한계  > MOSFET에 전압이 더 크게 가해질수록 Id는 증가하다 Saturation 된다.   > Drain 전압이 높아지면서 Channel이 끊어지는 Pinch Off 현상에 의해 그렇다.  > 하지만 Qinv=0이면 전하의 속도가 무한대여야 하지만 실제로 그렇지 않다.  > Pinch Off 말고 다른 설명이 필요한데 이는 커진 Field에 의해 에너지가 높아진 캐리어가 격자와 충돌하면서 에너지를 잃고 격자들이 Scattering 되면서 캐리어가 방해받기 때문이다.   > 1회의 출동이 일어나는 시간을 mean free time 이라고 한다.   > 1회 충돌이 일어나기까지의 거리를 mean free path라고 한다.   > 만약 Channel의 길이가 충..

6.9.1  속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델 > 이전 장에서 살펴본 Ids에 관한 속도 포화식은 다음과 같다.    > 관계식을 이용하여 Ids를 표현하면 장채널 IV 모델을 얻을 수 있다.    > 해당 식은 ids를 1+Vds/Esat*L 만큼 줄이는 것이다.   > Vds가 작거나 L이 매우 크면 식의 비율은 1에 근사한다 즉, 속도 포화를 무시할 수 있다.    > Vdsat 경계 조건에 따라서 캐리어의 속도식을 구할 수 있고 이를 같은 시점에서 Esat의 관계식을 구할 수 있다.   > 해당 식으로 Drain 끝에서 속도 포화가 시작되는 때의 Ids를 표현하면 다음과 같다.    > 그 전에 표현한 Ids 값과 같다고 두면 다음과 같이 정리 가능하다.   > 다시 첫 번째로..

6.6.1 기본적인 MOSFET IV 모델 > MOSFET에 Vds를 걸어줬을 때 Ids 값은 다음과 같다. > W은 채널 폭, μ_ns는 Mobility, Vds/L은 채널 평균 전계이다. > 그리고 Ids는 Qinv라고 볼 수 있는 Coxe(Vgs-Vt-m/2 Vds)에 비례한다. > Vds가 매우 작으면 m/2 Vds는 무시될 수 있으며 Ids는 Vds에 비례하는 저항처럼 동작한다. > Vds가 커지면 평균 Qinv가 감소한다. (Drain 쪽 Vc는 Vd) > Qinv 감소하면 Vds에 의해 커지는 Ids (dIds/dVds)가 0이 되는 Vds가 존재한다. > 특정 Vds를 Vdsat이라고 하며 IV 특성 곡선에서 Vds Vdsat이면 Saturation 영역으로 나눠진다. > Ids 식에 Vd..