DWD 반도체 이야기

7.8.1 UTB MOSFET과 SOI > Channel 표면에서 떨어진 곳에서 누설 전류 경로가 존재한다.   > 이는 Gate보다 Drain 영향이 클 수 있어 Control이 어렵다.   > 이를 해결하기 위해서 UTB(Ultra Thin Body)를 이용한다.   > Oxide위에 얇은 Silicon Body를 UTB를 구현할 수 있다.   > Silicon Body는 10nm 수준의 박막이다.   > Body가 얇기 때문에 Body 대부분이 Channel 표면과 가깝다.  > 따라서 Channel 표면에서 떨어진 누설 전류 경로가 없다.   > 또한, Wdep(공핍층), Xj(Drain/Source 두께)가 얇아지는 효과를 가진다.   > 이는 Channel과 Drain 사이의 Capacitan..

7.8.0 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET > MOSFET이 작아지면서 Vt Roll에 덜 민감한고 기존 소자보다 축소화할 수 있는 소자가 필요하다.   > 그러기 위해선 Gate와 Channel 사이의 Capacitance를 최대화하고   > Channel과 Drain 사이 Capacitance를 최소화하여야 한다.   > Gate와 Channel 사이의 Capacitance를 키우기 위해선 Tox(Oxide 두께)를 얇게해야 한다.   > Tox를 무한정 얇게 만들 수 없다.   > 공정의 어려움도 있지만 Gate와 Body 사이에 Leakage가 발생할 수 있다.   > 또한, 전자의 제어는 Si 표면에서 가능하고 표면에서 떨어진 곳에선 다른 누설전류 경로가 있다.   > 이런 ..