6.4 MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑 (MOSFET Vt, BODY EFFECT, AND STEEP RETROGRADE DOPING )

6.4.1 MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑 > MOSFET의 반전층은 Source/Drain을 연결하는 전도되는 N형 필름으로 볼 수 있다. > 산화막 유전체를 가지고 있는 게이트와 반전층의 평행판 전극의 커패시터로 모델링 될 수 있다. > 또한, 이 반전층은 Body와 공핍층을 유전체를 가지는 커패시터 Cdep를 형성한다. > Vb = Vs 조건에서 게이트 전압이 반전층 전하의 식은 다음과 같다. > Source와 Body 사이에 전입 Vsb가 가해지면 Body와 반전층의 Cdep에 의해 CdepVsb만큼 전하를 유도한다. > Vb=Vs 조건에서 Vt를 Vt0라고 하고 Vt의 식을 다시 표현하면 다음과 같다. > 이를 통해 Body에 역전압이 걸리면 NMOS의 Vt는 증가하고 PMO..
Semiconductor(반도체) 2024. 1. 21. 17:40
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