'Poly Si Gate' 태그의 글 목록

5.5.0 문턱 조건 이후 강반전 > Vg > Vt 일 때 강반전 상태라고 한다. > 반전 상태에서 전자들이 층을 형성하게 되고 이 층의 전하 농도를 Qinv [C/cm^2]이라고 한다. > Vg가 증가하여도 ∅_s는 2∅_B 이상 거의 증가하진 않는다. > ∅_s가 증가하는 만큼 표면 전자 농도를 유도하게 되고 그로 인해 Vox가 Vg의 증가분에 대부분 포함하게 된다. (표면에 유도된 전자의 전하들에 의해 Q가 증가하게 되고 Q =CV 식에 의해 Ox의 V가 증가한다) > ∅_s가 크게 증가하지 않으면 Wdep 폭도 크게 증가하지 않느다 Wdep 최대 값은 다음과 같다. > Gate 전압 식에 의해서 강반전 상태의 MOS 커패시터는 Vt 만큼의 오프셋이 존재한다. > 즉, 반전된 전하를 증가하기 위해선..