5.8 폴리 실리콘 게이트 공핍(Poly-Depletion Effect)
5.8.0 폴리실리콘 게이트 공핍 (유효 Tox 증가) > P+ Gate에 N type Si의 기판을 갖는 MOS 커패시터가 있다고 생각해 보자. > 그림 1. (a)는 P+ Gate - N Si Sub MOS 구조에 Gate에 전압이 가해진 밴드 다이어그램이다. > Vg가 충분히 가해져서 SiO2-Si 표면에 반전된 상태이다. > Gate 에너지 밴드를 살펴보면 전속(Electric Flux)의 연속성을 유지하기 위해 밴드가 구부러진다. > 구부러진 구간은 Gate 내의 공핍층 형성됨을 보여준다. > Gate 내의 공핍층은 Cpoly 값을 만들어내고 Cox와 직렬로 연결된 것으로 생각할 수 있다. > 이러한 폴리공핍 현상은 커패시터의 두께의 유효값 Tox를 Wdpoly/3 만큼 증가시킨다. (ϵ_ox/..
Semiconductor(반도체)
2023. 12. 11. 12:22
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