6.2 상보형 MOS(CMOS 기술) (COMPLEMENTARY MOS (CMOS) TECHNOLOGY
6.2.0 상보형 MOS(CMOS 기술) > MOSFET의 기본적인 공정 순서는 다음과 같다. > Trend 영역 Etch - 산화막 CVD - CMP 평탄화 - 산화막 & Poly Si 증착 - Gate Photo Patterning - Source Drain IIP. > 그림 6.3 (a)는 N Channel MOSFET 또는 NFET, NMOS라고 한다. > NFET의 전도되는 채널이 전자로 구성되어 있어 N 형이라고 하며 PFET은 정공으로 되어있어 P 형 채널의 소자이다. > 게이트와 드레인의 가해지는 전압은 Vg, Vd이며 0V와 공급전압 Vdd 사이의 범위를 갖는다. > NFET의 Body는 0V가 걸리고 PFET의 Body는 Vdd에 연결되어 PN 접합은 항상 역전압으로..
Semiconductor(반도체)
2024. 1. 9. 20:22
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