6.3 표면 이동도와 고이동도 FET (Surface Mobilities and High-Mobility FETs) (2)
6.3.2 GaAs MESFET > 캐리어 이동도가 크면 캐리어는 더 빠르게 움직이고 트랜지스터는 고속으로 작동할 수 있다. > 속도를 증가시킬 수 있는 방법 중 Si 대신 이동도가 높은 물질 Ge이나 Strained Si 사용하는 것이다. > 단결정 Ge나 SiGe는 단결정 Si-Sub 위에 에피택시 방법으로 기를 수 있다. > 응용 소자에 따라서 NFET필요하고 정공의 이동도는 중요하지 않을 수 있다. > MOSFET은 반도체~유전체 계면에 많은 Trap이 있기 때문에 해당 조건을 구현하기 어렵다. 물질 별 모빌리티SiGeGaAsInAs𝝁_𝒏14003900850030,000𝝁_𝒑4701900400500 > GaAs는 Si보다 높은 이동도를 가지고 있다. > MOS 게이트 대신 ..
Semiconductor(반도체)
2024. 1. 15. 20:29
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