6.6 기본적인 MOSFET IV 모델(BASIC MOSFET IV MODEL)
6.6.1 기본적인 MOSFET IV 모델 > MOSFET에 Vds를 걸어줬을 때 Ids 값은 다음과 같다. > W은 채널 폭, μ_ns는 Mobility, Vds/L은 채널 평균 전계이다. > 그리고 Ids는 Qinv라고 볼 수 있는 Coxe(Vgs-Vt-m/2 Vds)에 비례한다. > Vds가 매우 작으면 m/2 Vds는 무시될 수 있으며 Ids는 Vds에 비례하는 저항처럼 동작한다. > Vds가 커지면 평균 Qinv가 감소한다. (Drain 쪽 Vc는 Vd) > Qinv 감소하면 Vds에 의해 커지는 Ids (dIds/dVds)가 0이 되는 Vds가 존재한다. > 특정 Vds를 Vdsat이라고 하며 IV 특성 곡선에서 Vds Vdsat이면 Saturation 영역으로 나눠진다. > Ids 식에 Vd..
Semiconductor(반도체)
2024. 1. 28. 10:18
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