6.11 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출
6.11.0 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출 > Transistor의 Gate 길이 Lg는 실제 공정에서 만든 것과 Layout에서 설계한 길이 Ldrawn와 다르다. > Patterning 과정에서 길이의 변화가 있으며 이 차이를 최소화 하는 OPC(Optical Proximity Correction)과 같은 기술이 도입된다. > 하지만 차이를 완전한 0으로 만들기는 어려운 부분이 있고 소자를 해석할 때 유효 채널 길이 Leff를 도입하였다. > Ldrawn - Lg 차이를 △L 이라고 하고 이 △L을 측정하는 방법은 아래 관계식으로 구할 수 있다. > Ldrawn만 다른 세개의 다른 MOSFET을 Ldrawn vs. Vds/Ids 그래프를 그리면 다음과 같다. > Vds/Ids는 L..
Semiconductor(반도체)
2024. 5. 23. 22:22
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
- Total
- Today
- Yesterday
링크
TAG
- Blu-ray
- Pinch Off
- Acceptor
- Optic Fiber
- Laser
- PN Junction
- CD
- Charge Accumulation
- 문턱 전압
- MOS
- 양자 웰
- 열전자 방출
- 반도체
- Diode
- Energy band diagram
- 쇼트키
- Thermal Noise
- Reverse Bias
- Semicondcutor
- pn 접합
- C언어 #C Programming
- fermi level
- Donor
- EBD
- 광 흡수
- Solar cell
- Fiber Optic
- Depletion Layer
- semiconductor
- channeling
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | |||||
3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
글 보관함