5.9 반전 및 축적 전하층 두께(Oxide Thickness Under Inversion and Accumulation Condition)

5.9 반전 및 축적 전하층 두께 > Si-SiO2 표면의 반전층 전하는 면 전하 상태로 분포하지 않는다. > 실제로는 슈뢰딩거 방정식과 포아송 방정식의 해로 산포가 결정된다. > Tinv는 Si-SiO2 계면 아래의 반전층 전하의 분포 중심까지의 거리로 정의된다. > 그림 2. 은 반전층 두께 Tinv과 Vg 함수로 나타낸 결과이다. > Vg가 클 때 Tinv 값은 1.5nm 정도이고 Vg가 작을 때 3nm 정도이다. > 전자 반전층은 정공 반전층보다 두께가 얇으며 이는 전자의 유효 질량이 더 작기 때문이다. (같은 전하량이지만, 부피가 작아서 두께가 얇아 보인다라고 이해면 되려나?) > 이러한 결과로부터 반전층은 Si-SiO2 계면이 나닌 Tinv에 해당하는 유효 거리만큼 떨어진 지점에 존재한다. >..
Semiconductor(반도체) 2023. 12. 12. 14:48
1
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
Total
Today
Yesterday
링크
TAG more
«   2024/11   »
일 월 화 수 목 금 토
1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
글 보관함