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6.5.1 MOSFET의 Qinv > MOSFET이 켜진 상태에서 Drain에 전압이 가해졌을 때 반전층(채널)의 전압은 거리 x의 함수가 된다. > x=0에서 채널 전압 Vc =0이고 x=L에선 Vc = Vd이다. > 채널의 중간 지점의 전압 Vc에선 산화막 커패시터를 가로지르는 전압이 더 작다. > Drain 전압에 영향으로 Drain에 가까울술고 Vc는 커지며 공핍층 커패시터를 가로지르는 전압이 더 커진다. > 따라서 Vc가 높을수록 (Drain에 가까울수록) 반전층 즉, 커패시터 전극에 더 작은 수의 전자가 존재한다. > Vds=0일 때 Qinv 식에 Vgs 대신 Vgs - Vcs, Vsb대신 Vsb+Vcs(x) 대입하면 다음과 같다. > m은 통상적으로 1.2이며 1로 많이 가정한다. > 상대적..