3.1 소자 제조에 대한 서론 (Fabrication Introduction)
3.1.1 소자 제조 > 대부분의 반도체 제조 회사에서 Si 웨이퍼를 구매하는 것으로 제조 공정이 시작된다. > 큰 반도체 Fab은 매다 Si 웨이퍼 40k 이상 처리할 수 있다. > 반도체 소자 제조 공정의 간단히 한다면 a) SiO2 형성 b) 산화물의 선택적 제거 c) 웨이퍼 표면에 도펀트 주입 d) 웨이퍼 내로 도펀트 확산 > 이 공정들과 다른 제조 단계를 조합하면 반도체 소자와 회로를 만들 수 있다. > 웨이퍼 기판 위 층층이 회로를 만드는 방법을 평면 기술(Planar Technology)이라고 한다. > 평면 기술의 이점은 Si 웨이퍼 전반에 적용이 된다는 것이다. > 정밀도를 높여서 동일 웨이퍼 크기에 많은 회로 Chip들을 만드는 것은 큰 경제적 이점을 가진다. 3.1.1 Fabricat..
Semiconductor(반도체)
2023. 8. 20. 22:01
반응형
공지사항
최근에 올라온 글
최근에 달린 댓글
- Total
- Today
- Yesterday
링크
TAG
- fermi level
- PN Junction
- semiconductor
- CD
- Fiber Optic
- Blu-ray
- Reverse Bias
- Acceptor
- Optic Fiber
- C언어 #C Programming
- MOS
- Thermal Noise
- Pinch Off
- Charge Accumulation
- 반도체
- Depletion Layer
- 광 흡수
- Solar cell
- EBD
- Energy band diagram
- 양자 웰
- 쇼트키
- Donor
- 열전자 방출
- channeling
- 문턱 전압
- Semicondcutor
- Laser
- Diode
- pn 접합
일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | |||||
3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
글 보관함