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6.10.0 기생 소오스 드레인 저항 > MOSFET의 기생 저항은 Ids 식의 Vgs를 Rs * Ids 만큼 줄인다. > Idsat 식은 다음과 같이 바뀌고 Idsat0은 Rs가 없을 때 전류이다. > Idsat은 기생 저항에 의해 많이 줄어들 수 있고 보통 유전체 스페이서 아래의 얇은 확산 영역에 의해 발생한다. > 스페이서 아래 Doping 된 영역을 말하고 보통 두 번 Doping 해줘서 구성하는 LDD(Light Doped Drain)이다. > LDD의 목적은 Drain 근처에서 Hot Carrier Injection을 방지하지만 Drain/Source보다 Doping 농도가 낮기 때문에 저항이 더 크다. > 저항이 더 큰 이유는 Doping 농도가 적은만큼 Channel에 기여하..