'Shockley boundary condition' 태그의 글 목록

4.6.0 정 바이어스 캐리어 주입 > PN 접합에 정 바이어스(PN 방향으로 전압)를 걸어주면 에너지 장벽 높이가 ∅-V로 감소된다. > 이는 PN 접합 내부에서 발생한 Built In Voltage에 의한 Drift 전계를 축소시킨다. > Drifit와 Diffusion의 평형이 깨지게 되고 전자들이 N 쪽에서 P로 이동하게 된다. > P쪽의 소수 캐리어들이 공급이 되기 때문에 이를 소수 캐리어 주입이라고 한다. > 정공은 전자와 반대로 P에서 N으로 주입된다. > 따라서 장벽이 높았을 때와 비교해보면 낮았을 때 더 많은 수의 전자와 정공이 경계면 근처 xp, xn에 존재하게 된다. (그림 2) > 공핍층이 작아지면서 Efn은 xp까지 일정하게 유지된다고 가정하면 xp의 전자 농도를 구할 수 있다. ..