4.20 양자 역학적 터널링(Quantum Mechanical Tunneling)
4.20.0 양자 역학적 터널링 > 양자 역학에서 전자들은 파동으로 묘사된다. > 전자들은 전자 에너지 E보다 더 높은 위치 에너지 V-H를 갖는 전위 장벽에 도달하면 에너지가 감쇠 함수가 된다. > 전자가 전위 장벽을 지나면 다시 파동으로 빠져나가지만 그 크기는 축소된다. > 전자는 전위 장벽에 막혀 다 못 지나가지 않고 장벽을 뚫고 통과하는 유한한 확률이 존재한다. > 이 확률을 터널링 확률이라하며 전위 장벽 두께가 감소할수록 확률은 지수 함수적으로 증가한다. Reference -. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, PEARSON(2013)
Semiconductor(반도체)
2023. 11. 28. 18:52
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