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4.16.0 쇼트키 장벽 > 금속-반도체 접합의 에너지 밴드 다이어그램은 그림 1과 같다. > 전압이 가하지 않았기 때문에 Fermi Level Ef는 평평하다. > 접합의 오른쪽 멀리의 에너지 밴드 다이어그램은 N, P type의 것과 같다. > 전합 왼쪽은 금속 에너지 밴드이며 Ef 아래에 있는 에너지 상태들은 거의 다 채워져 있고 위는 거의 비어있다. > 접합 경계면엔 에너지 장벽이 존재하고 이를 쇼트키 장벽 높이 ∅_B로 묘사된다. > 반도체-금속 경계면에는 공핍 층이 존재하며 이 층의 Ef는 Ec, Ev와 가깝지 않다. > N-type, P-type의 쇼트키 장벽 높이의 합은 Eg의 근사적으로 동일하다. > 쇼트키 장벽 높이는 금속 선택에 따라 변화하며 금속의 일함수와 반도체의 전자 친화력 차이..