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3.4.1 에칭 > 포토리소그래피로 패턴을 만든 후 만든 패턴대로 막질을 깎는 작업을 에칭(Etching)이라고 한다. > SiO2로 예시를 들면 패턴이 만들어진 PR(포토레지스트) 사이로 화학적이나 물리적으로 에칭 할 수 있다. > SiO2를 깎을(녹일) 수 있는 용액은 HF(Hydrogen Fluoride)이며 SiO2의 Etchant라고 한다. > 용액을 사용한 에칭을 Wet Etch라고 하며 모든 방향으로 동일하게 깎이기 때문에 등방성(Isotropic) 에칭이라고 한다. > 드라이 에칭(Dry Etching)은 플라스마 상태에서 발생하는 이온, 전자, 원자, 라디컬(Radical)이 포토레지스트와 노출된 SiO2와 화학적으로 반응하고 이온들이 수직으로 물리적으로 부딪혀서 에칭 하는 방식이다. >..