5.6 MOS 커패시터의 C-V 특성(C-V Characteristics of MOS Capacitor)
5.6.0 MOS 커패시터의 C-V 특성 > MOS C-V 측정은 Gate 산화막의 두께, 기판의 농도, Vth 및 Vfb를 구할 때 많이 사용된다. > Gate 전압 Vg에 따라 C-V Curve를 구분할 수 있다. > 축적 영역에선 MOS 커패시터는 그림 1. (a)와 같이 Cox(산화막) 값을 갖는 커패시터이다. > Vg가 더 가해지면 공핍 영역이 생기면서 Cox와 Cdep(공핍층)이 직렬로 연결된 두 개의 커패시터로 나타낸다. > AC 소신호 전압이 인가되면 공핍층 두께 Wdep가 해당 주파수에서 약간의 변화가 있다. > 이에 따라 AC 전하는 공핍층 하단에서 나타단다. > Gate 전압이 Flat Band 전압 Vfb보다 증가하면 Wdep가 확장을 하고 Cdep 감소하면서 전체 C도 감소한다. ..
Semiconductor(반도체)
2023. 12. 9. 14:04
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